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- 010 __ |a 978-7-302-62318-2 |d CNY99.00
- 100 __ |a 20230918d2023 em y0chiy50 ea
- 200 1_ |a 存储器工艺与器件技术 |b 专著 |f 霍宗亮[等]编著 |9 cun chu qi gong yi yu qi jian ji shu
- 210 __ |a 北京 |c 清华大学出版社 |d 2023
- 215 __ |a 11,412页 |c 图 |d 26cm
- 304 __ |a 编著者还有:夏志良、靳磊、王颀、洪培真
- 330 __ |a 本书共12章,包括半导体存储器分类、NAND Flash技术、3D NAND Flash制造工艺,3D NAND Flash器件单元特性、3D NAND Flash模型模拟技术、3D NAND Flash阵列及操作、3D NAND Flash可靠性特性与测试、NAND Flash电路设计和系统应用、DRAM技术以及新型存储器技术等内容。
- 606 0_ |a 存贮器 |x 研究生 |j 教材
- 701 _0 |a 霍宗亮 |4 编著 |9 huo zong liang
- 701 _0 |a 夏志良 |9 xia zhi liang |4 编著
- 701 _0 |a 靳磊 |9 jin lei |4 编著
- 801 _0 |a CN |b YNNI |c 20240204
- 905 __ |a YNNI |d TP333/1030