MARC状态：审校 文献类型：中文图书 浏览次数：13
- 题名/责任者:
- HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究/田媛著
- 出版发行项:
- 沈阳:东北大学出版社,2019
- ISBN及定价:
- 978-7-5517-2274-2/CNY48.00
- 载体形态项:
- 106页:图;26cm
- 个人责任者:
- 田媛 著
- 学科主题:
- 单晶-晶体生长-研究
- 中图法分类号:
- O782
- 提要文摘附注:
- 本书分为八章，主要内容包括：绪论、V/Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响、采用低温缓冲层技术生长自支撑GaN单晶、在SiC的C面直接生长自支撑GaN单晶等。
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| 索书号 | 条码号 | 年卷期 | 馆藏地 | 书刊状态 | 还书位置 |
| O782/6042 | 06001535300 |  雨花密集存本库
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阅览 | 雨花密集存本库 | |
| O782/6042 | 06001535301 | 雨花理科图书室
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可借 | 雨花理科图书室 |
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