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题名/责任者:

纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计/(美)Sandip Kundu，(印)Aswin Sreedhar著 王昱阳，谢文遨译

出版发行项:

北京:科学出版社,2014

ISBN及定价:

978-7-03-040034-5/CNY58.00

载体形态项:

11,261页:图;24cm

并列正题名:

Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability

个人责任者:

(美) 坤社 (Kundu, Sandip) 著

个人责任者:

(印) 斯里达尔 (Sreedhar, Aswin) 著

个人次要责任者:

王昱阳 译

个人次要责任者:

谢文遨 译

学科主题:

纳米材料-CMOS电路-超大规模集成电路-电路设计-教材

中图法分类号:

TN432.02

版本附注:

麦格劳-希尔（亚洲）教育出版出版公司授权出版

出版发行附注:

麦格劳-希尔（亚洲）教育出版出版公司和中国科技出版传媒股份有限公司合作出版

相关题名附注:

英文原名：Nanoscale CMOS VLSI circuits design for manufacturability

提要文摘附注:

本书内容包括：CMOSVLSI电路设计的技术趋势；半导体制造技术；光刻技术；工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模；面向可制造性的物理设计技术；测量、制造缺陷和缺陷提取；缺陷影响的建模和合格率提高技术；物理设计和可靠性；DFM工具和DFM方法等。

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